近红外光谱 “力挺”半导体行业
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什么是半导体 半导体( semiconductor),指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料(liao)。 半(ban)导体(ti)按照制造技术(shu)可以分为:集成(cheng)电(dian)路器(qi)件、分立(li)器(qi)件、光电(dian)半(ban)导体(ti)、逻辑IC、模拟IC、储存器(qi)等大类。 什么是芯片 芯片,又称微电路(lu)(microcircuit)、微芯片(microchip)、集成电路(lu)(integrated circuit, IC)。是指内(nei)含集成电路(lu)的(de)硅片,体积(ji)很(hen)小(xiao),常常是计算机或(huo)其他电子设(she)备的(de)一部分。
注:CMP即化学机械(xie)抛(pao)光
光刻(ke)是将图形转移到覆盖在半导体硅片(pian)表面的(de)光刻(ke)胶上(shang)的(de)过程。这些图形必须再转移到光刻(ke)胶下面组成(cheng)器件(jian)的(de)各薄层(ceng)上(shang),这一工艺(yi)过程我们称之为刻(ke)蚀,即选择(ze)性地刻(ke)蚀掉该薄层(ceng)上(shang)未被掩蔽地部分。
刻(ke)蚀有两(liang)种基本方(fang)法:湿法化学刻(ke)蚀和干法刻(ke)蚀。 湿法化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)学(xue)(xue)刻蚀的机理主要包括三个阶段:反(fan)应(ying)(ying)物(wu)(wu)通过扩(kuo)散(san)到反(fan)应(ying)(ying)物(wu)(wu)表(biao)(biao)面(mian),化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)学(xue)(xue)反(fan)应(ying)(ying)在表(biao)(biao)面(mian)上进行,然后通过扩(kuo)散(san)将反(fan)应(ying)(ying)生成物(wu)(wu)从表(biao)(biao)面(mian)移除。湿法化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)学(xue)(xue)刻蚀较为适用于多晶硅、氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)物(wu)(wu)、氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)物(wu)(wu)、金属和Ⅲ-Ⅴ族化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)合物(wu)(wu)地表(biao)(biao)面(mian)刻蚀。 近红外光谱技术因其以下*的优势在半导体行业有着广泛的应用。
► 应(ying)用案例(li)一:使用近红外光谱仪测定混酸刻蚀液 分(fen)别选用1mm和4mm光(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)的比色(se)皿测(ce)得谱图(tu)如下,通过观察光(guang)(guang)(guang)谱可以发现从1900nm开始(shi)4mm光(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)的比色(se)皿光(guang)(guang)(guang)谱噪声开始(shi)增加,因(yin)此我们选用1mm光(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)比色(se)皿进行测(ce)定(ding)。
通过Vision软件(jian)建模(mo),并(bing)测(ce)定(ding)的(de)混酸刻蚀(shi)液(ye)各组分含(han)量(liang)与实(shi)(shi)验室常规方(fang)法分析的(de)数值(zhi)如下表(biao)所示,可以看(kan)到近红外的(de)预测(ce)结(jie)果与实(shi)(shi)验室方(fang)法基本一致,误差很小(xiao)。
► 应用(yong)案(an)例二:使(shi)用(yong)在(zai)线近红(hong)外光谱(pu)仪测定清(qing)洗液 如下图为使用瑞士万通在线近红外光谱仪连续监控客户的SC1清洗液状态。我们可以看到随着清洗液的消耗,NH4OH的含量逐渐(jian)降低,客户可以根据监控的情况操作(zuo)清洗流程。
► 应用案例三:使用在线近红外(wai)光(guang)谱仪动态监(jian)测IPA异丙醇(chun) IPA异丙醇作为清洗去除剂,在清洗的(de)过(guo)程中会有杂(za)(za)质混(hun)入该(gai)溶剂。它(ta)的(de)近(jin)红外光谱如下图,在1900~2000nm波长范围内,明显可见杂(za)(za)质EKC-265对谱图的(de)影响。
我们利用该波段建立EKC-265的近红外模型,可以看到模型的R2达9.9989,SEC为0.0629。利用该模型我们就可以(yi)即可监控异丙醇中的杂质含量的变(bian)化。
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